Substrat en nitrure d'aluminium

Mullitesubstrat(3 a1203. 2Si02) : est l'une des phases cristallines les plus stables du système binaire A1203-Si02, bien que la résistance mécanique et la conductivité thermique soient faibles par rapport à l'A1203, mais sa constante diélectrique est faible, on s'attend donc à ce qu'elle améliore encore le signal vitesse de transmission. Le coefficient de dilatation thermique est également faible, ce qui peut réduire la contrainte thermique du LSI, et la différence de coefficient de dilatation thermique du matériau conducteur Mo, W est faible, ce qui permet d'obtenir une faible contrainte entre les conducteurs pendant le cyclage.

Aluminiumsubstrat de nitrure:
un. Matière première : l'AIN est une présence non naturelle mais un minéral artificiel en 1862, a été synthétisé pour la première fois par Genther et al. La représentation de la poudre d'Aln consiste à réduire la méthode au nitrure et la méthode de nitruration directe. Le premier réagit avec une réduction de carbone de haute pureté dans l'A1203, puis réagit avec l'azote, et le second est directement nitruré. ;

b. Méthode de fabrication : A1203substratla fabrication peut être utilisée dans la fabrication de substrats AIN, dans laquelle l'utilisation maximale de la méthode de stratification organique, c'est-à-dire la poudre de matière première AIN, un adhésif organique et un solvant, une suspension céramique mélangée à un tensioactif, passée, stratifiée, presse à chaud, dégraissage, brûlage

C. Les caractéristiques du substrat AIN : AIN est plus de 10 fois supérieur et CTE correspond à la plaquette de silicium. Le matériau AIN est relativement lié à l'A1203, la résistance d'isolation, l'isolation et la constante diélectrique sont inférieures. Ces caractéristiques sont très rares pour les applications de substrats d’emballage ;

d. Application : utilisé pour le module d'amplificateur de puissance à courroie de fréquence VHF (ultra haute fréquence), le dispositif haute puissance et le substrat de diode laser.