Substrats métallo-céramique

Substrats métallo-céramique

Les substrats métallo-céramique sont un type de matériau de base utilisé dans les circuits électroniques, en particulier dans la technologie des couches minces. Ils sont constitués de matériaux céramiques tels que l'alumine (Al2O3), le nitrure d'aluminium (AlN) ou le carbure de silicium (SiC). Les substrats céramiques ont une excellente résistance thermique et chimique, une résistance mécanique élevée, une isolation électrique supérieure et une capacité de traitement des signaux haute fréquence.

Dans les circuits électroniques, les substrats céramiques fournissent une surface stable pour monter les composants électroniques et facilitent la transmission du signal. Ils sont souvent utilisés dans des applications nécessitant une puissance élevée, telles que les amplificateurs de puissance, les régulateurs à découpage et les régulateurs de tension. Les substrats céramiques sont également utilisés dans les circuits hybrides et intégrés, les capteurs et autres appareils électroniques.

Les substrats céramiques possèdent des propriétés uniques qui les rendent utiles dans diverses applications industrielles. Ils peuvent résister aux températures élevées, aux environnements difficiles et à l’exposition aux produits chimiques. Ils sont également légers, durables et polyvalents, ce qui les rend parfaits pour les emballages électroniques, l'automobile, l'aérospatiale et d'autres applications exigeantes.

Dans l'ensemble, les substrats céramiques offrent de nombreux avantages dans les applications électroniques et industrielles où la stabilité, la fiabilité et les capacités hautes performances sont des facteurs critiques.

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Les substrats céramiques Torbo®Metal

Article : substrats métalliques et céramiques.

Matériel: Si3N4

Couleur:Gris

Épaisseur: 0,25-1 mm

Traitement de Surface:Double poli

Densité apparente : 3,24 g/㎤

Rugosité de surface Ra : 0,4 μm

Résistance à la flexion : (méthode en 3 points) :600-1000Mpa

Module d'élasticité: 310Gpa

Résistance à la rupture (méthode IF) : 6,5 MPa･√m

Conductivité thermique : 25°C 15-85 W/(m･K)

Facteur de perte diélectrique : 0,4

Résistivité volumique : 25°C >1014 Ω･㎝

Résistance à la rupture : DC > 15㎸/㎜