Substrat céramique de nitrure de silicium pour l'électronique
Le substrat céramique en nitrure de silicium pour l'électronique est un type spécialisé de matériau céramique utilisé dans diverses applications industrielles où une résistance, une durabilité et une stabilité thermique élevées sont requises. Il est constitué d’une combinaison de silicium, d’azote et d’autres éléments qui lui confèrent des propriétés mécaniques, thermiques et chimiques uniques.
Le substrat céramique Si3N4 possède une résistance mécanique exceptionnelle, ce qui le rend très résistant à l'usure et aux dommages dus aux chocs et à la compression. Il est également très résistant aux chocs thermiques, capable de résister à des changements rapides de température sans se fissurer ni se casser. Cela le rend idéal pour une utilisation dans les industries à haute température telles que l'aérospatiale, l'ingénierie automobile et d'autres domaines où la dissipation thermique est nécessaire.
En plus de ses propriétés mécaniques et thermiques, le substrat céramique Si3N4 offre également une excellente isolation électrique et une bonne résistance à la corrosion dans les environnements difficiles. Il est utilisé dans les applications électroniques et semi-conductrices telles que les modules de puissance et l’électronique haute température en raison de ses propriétés supérieures de dissipation thermique et d’isolation.
Dans l’ensemble, le substrat céramique en nitrure de silicium Si3N4 est un matériau exceptionnel avec un large éventail d’applications. Sa résistance mécanique, sa stabilité thermique, son isolation électrique et sa résistance chimique exceptionnelles le rendent idéal pour diverses applications industrielles et électroniques où la fiabilité et l'efficacité sont des facteurs critiques.
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Le substrat céramique de nitrure de silicium Torbo® pour l'électronique
Article : substrat en nitrure de silicium.
Matériel: Si3N4
Couleur:Gris
Épaisseur: 0,25-1 mm
Traitement de Surface: Double poli
Densité apparente : 3,24 g/㎤
Rugosité de surface Ra : 0,4 μm
Résistance à la flexion : (méthode en 3 points) :600-1000Mpa
Module d'élasticité: 310Gpa
Résistance à la rupture (méthode IF) : 6,5 MPa・√m
Conductivité thermique : 25°C 15-85 W/(m・K)
Facteur de perte diélectrique : 0,4
Résistivité volumique : 25°C >1014 Ω・㎝
Résistance à la rupture : DC > 15㎸/㎜