Substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure

Substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure

Leur résistance extrêmement élevée en fait également un matériau clé qui augmente la durée de vie et la fiabilité des produits dans lesquels ils sont utilisés. Le substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure Torbo® fabriqué en Chine est utilisé dans les domaines électroniques tels que les modules semi-conducteurs de puissance, remplaçant d'autres matériaux isolants pour augmenter la production et réduire la taille et le poids, les onduleurs et les convertisseurs.

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Description du produit

En tant que Torbo® professionnel de haute qualitéSubstrat en nitrure de silicium résistant à l'usurefabricant, vous pouvez être assuré d'acheter un substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure dans notre usine et nous vous offrirons le meilleur service après-vente et une livraison rapide. La concentration élevée de silicium rend le substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure très résistant aux dommages causés par les rayonnements ionisants. et les changements de température, ce qui les rend idéaux pour une utilisation dans les applications spatiales et à haute température. Un Torbo®Substrat en nitrure de silicium résistant à l'usureest un matériau utilisé dans la fabrication électronique. Il est constitué d'une fine couche de nitrure de silicium, qui présente une haute résistance à la conductivité électrique et une forte concentration d'atomes de silicium. Ce matériau est couramment utilisé dans la production de dispositifs semi-conducteurs, tels que des transistors et des diodes, ainsi que de dispositifs optoélectroniques, tels que des cellules solaires et des diodes électroluminescentes (DEL).

Le substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure Torbo®

Article : substrat en nitrure de silicium.

Matériel:Si3N4

Couleur:Gris

Épaisseur: 0,25-1 mm

Traitement de Surface:Double poli

Densité apparente : 3,24 g/㎤

Rugosité de surface Ra : 0,4 μm

Résistance à la flexion : (méthode en 3 points) :600-1000Mpa

Module d'élasticité: 310Gpa

Résistance à la rupture (méthode IF) : 6,5 MPa・√m

Conductivité thermique : 25°C 15-85 W/(m・K)

Facteur de perte diélectrique : 0,4

Résistivité volumique : 25°C >1014 Ω・㎝

Résistance à la rupture : DC > 15㎸/㎜

Le Sac®Substrat en nitrure de silicium résistant à l'usurefabriqués par l'usine chinoise sont utilisés dans les domaines de l'électronique tels que les modules de semi-conducteurs de puissance, les onduleurs et les convertisseurs, remplaçant d'autres matériaux isolants pour augmenter la production et réduire la taille et le poids.

Leur résistance extrêmement élevée en fait également un matériau clé qui augmente la durée de vie et la fiabilité des produits dans lesquels ils sont utilisés. Dissipation thermique double face dans les cartes de puissance (semi-conducteurs de puissance), les unités de contrôle de puissance pour automobiles.

FAQ

3. Quels sont les avantages de l’utilisation d’un substrat en nitrure de silicium résistant à l’usure dans les produits électroniques ?

Les substrats électroniques offrent plusieurs avantages, tels qu'une excellente stabilité thermique et mécanique, une précision dimensionnelle élevée et un faible coefficient de dilatation thermique (CTE).

4. Quels sont les défis liés à la fabrication d'un substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure ?

Les principaux défis liés à la fabrication de substrats électroniques consistent à garantir une épaisseur uniforme, à éviter les défauts tels que les vides et le délaminage et à contrôler le CTE.

5. Le substrat en nitrure de silicium résistant à l'usure peut-il être personnalisé pour répondre aux exigences spécifiques du produit ?

Oui, les substrats électroniques peuvent être personnalisés pour répondre aux exigences spécifiques du produit en ajustant des paramètres tels que l'épaisseur, la constante diélectrique et la rigidité. Cela permet une plus grande flexibilité dans la conception des produits et l’optimisation des performances.


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